При какой температуре алмаз превращается в графит. Как из графита получается алмаз. Как из графита получить алмаз

Приветствуем вас, дорогие наши читатели. Люди во все времена хотели сделать невозможное возможным. В том числе опробовать методы, чтобы узнать, как сделать алмаз и вырастить его в домашних условиях.

Задача эта действительно непростая и требует вдумчивого и кропотливого отношения к процессу. В этой статье мы рассмотрим как вполне реальные способы создания кристаллов, так и совсем невероятные (во всяком случае, для проведения дома).

Можно ли из графита получить алмаз?

Конечно, зачастую ценятся куда выше, чем созданные искусственным образом. При этом добытчики алмазов получают немалые прибыли. Однако, в погоне за собственным любопытством и иногда жаждой наживы, многие стремятся узнать, возможно ли получить этот драгоценный минерал искусственным образом?

Эти сомнения подстегиваются еще и тем, что состав графита и алмаза практически идентичен.

И в какой-то степени сомневающиеся правы – алмаз действительно можно получить путем некоторых манипуляций из простого графита. Это было доказано еще в 1955 году. Но для такого события понадобилось создать температуру в 1800 градусов по Цельсию и давление в 120 000 атмосфер. Можно ли сделать это проще?

Эксперименты и результаты ученых

Пару лет назад ученым удалось под кратковременным воздействием лазерного импульса заставить углерод нагреться практически до 3800 градусов по Цельсию. После этой процедуры углерод быстро охлаждается. В результате этого американским ученым удалось получить пока что самую твердую форму углерода, названную Q-углеродом.

То есть практически такой камень можно получить при нормальном атмосферном давлении и комнатной температуре (при наличии лазера конечно). Самое интересное, что по результатам таких экспериментов, в Северной Каролине (а именно там проводились испытания) пришли к выводу, что данная форма углерода превышает по прочности алмаз.

Но и это еще не все – настоящий алмаз в наши дни можно сделать буквально за считанные минуты.

Правда понадобится еще и огромное статическое давление и температура порядка 2500 градусов. Но такие алмазы получаются (за счет поликристалличности) даже более твердыми, чем природные аналоги.

Но все эти способы хоть и хороши, однако требуют хотя бы частичного воспроизведения природных условий. Единственное, что ученым удалось «скостить» – это время, затрачиваемое на создание минерала. Также иногда получается уменьшить и температуру с давлением, но тут уже требуется специализированное оборудование, стоящее немалых денег и труднодоступное для обывателя.

Так возможно ли вырастить алмаз самостоятельно?


Как сделать алмаз: эффективные и не очень способы

На самом деле, для создания алмаза (в идеале) должны соблюдаться следующие условия:

  1. Давление более чем в 100 000 атмосфер.
  2. Температура порядка 1600 градусов (или выше).
  3. Сотни тысяч лет (лучше дольше).

Искусственным образом сейчас удается создать алмазы за несколько месяцев. Однако остальные условия все равно приходится соблюдать.

Но безумные экспериментаторы не собираются отчаиваться. Вот что они предлагают:

  • C помощью волшебного сочетания трубы, графита и тротила предлагают создать плотно запаянную конструкцию. Корпусом должна послужить труба, в которую надо сложить остальные компоненты. После образовавшегося взрыва нужно найти остатки эксперимента и вот в них-то и должны содержаться алмазы.

Этот эксперимент может стоить вам жизни! Не проводите его на практике!


  • Второй вариант куда более безопасный, но оставляет сомнения в реальности получения именно алмаза, а не просто красивого камня. Для этого возьмите источник высокого напряжения, а также провод, карандаш и жидкий азот (можно заменить водой). Отделите грифель от карандаша и крепко сцепите его с проводом. Конструкцию после этого следует заморозить, после того соединить с источником напряжения. Утверждается, что сразу же после пропускания такого разряда, грифель превратится в алмаз. Это весьма сомнительно, но в качестве очень осторожно проводимого домашнего эксперимента попробовать можно.

Таким образом, на данный момент создать по-настоящему домашний способ образования бриллиантов – задача практически нереальная. Однако если вам интересен сам процесс и вы хотели бы попробовать себя в качестве экспериментатора (возможно, вместе с юным поколением), то попробуйте следующий способ. Он проверен временем и многими поколениями – в результате получаются прекрасные кристаллические структуры, так похожие на любимые многими алмазы и другие драгоценные камни.

Домашние кристаллы

Для создания таких «алмазиков» вам понадобится:

  • дистиллированная вода,
  • соль,
  • нить,
  • пищевые красители (по желанию).


В воду добавьте такое количество соли, чтобы она перестала растворяться. Возьмите ниточку и поместите на нее кристаллик соли. Эту совокупность опустите в приготовленный раствор и подождите несколько дней. Кстати, при добавлении пищевых красителей можно получить самые разнообразные цвета и оттенки «камушков».

Аналогичным образом можно поступить с сахаром или медным купоросом.

Но помимо перечисленных ингредиентов, вам могут пригодиться и самые разные компоненты, камни из которых получаются красивее и аккуратнее, чем из соли. Для этого ингредиенты понадобятся чуть менее доступные, однако в сети сейчас можно купить практически все.

В первом видео будем выращивать фиолетовые кристаллы из алюмокалиевых и хромокалиевых квасцов. Никакая соль в сравнение не идет:

Во втором видео показывается общий принцип создания домашних кристаллов (на примере все тех же квасцов):

В общем, создать для себя красивые камушки вполне реально. А если не ставите перед собой цель обогатиться, то это идеальный выход. К тому же, с такими экспериментами можно с ранних лет привить детям любовь к химии, что может сыграть в их жизни немалую роль.

Ждем вас в гости еще не раз, в дальнейшем будет множество новостей из «каменного» мира. До скорых встреч, дорогие друзья!

Команда ЛюбиКамни

Чтобы сделать алмаз...

Кто незнаком с алмазом - этим чемпионом в мире кристаллов? Нас восхищает феерическая игра света на гранях отшлифованного алмаза (бриллианта), поражает его непревзойденная твердость. Размер кристаллов обычно невелик (2 - 5 мм), но попадаются и крупные образцы. Самый большой из всех добытых алмазов весил 605 г, или более 3000 карат (карат - 0,2 г).

Можно добавить, что за все времена по 1947 г. было найдено 80 т алмазов (подсчитано, что в месторождениях находят 0,2-0,3 карата алмазов на 1 мг породы).
Итак, алмаз - это драгоценный камень. В 1797 г. С. Теннант определил его химический состав. Оказалось, что он, так же как и графит, состоит из чистого углерода.
Мы знаем, что некоторые химические элементы могут существовать в виде двух и более простых веществ. Так, атомы кислорода способны соединяться по два (газ кислород) и по три (газ озон), фосфор дает двух- и четырехатомные молекулы. Это происходит потому, что атомы образуют молекулы разными способами (аллотропия). В графите атомы углерода соединены в шестиугольники, которые слоями лежат друг на друге, причем расстояние между слоями равно 3,4 А. В алмазе те же атомы углерода расположены в углах тетраэдра, длина ребра которого равна 1,54 А (рис. 1). Какие же условия необходимы, чтобы атомы углерода изменили свое расположение и графит превратился в алмаз?
Алмазы образуются в толще Земли при высоких давлениях и температурах. Там они кристаллизуются, а затем в результате извержений порода, в которой они находятся, выбрасывается к поверхности Земли. Можно ли этот процесс повторить искусственно?
Ученые установили, что если нагреть алмаз в среде инертного газа до высокой температуры, он превратится в графит. Температура этого перехода зависит от давления. Чем выше давление, тем при большей температуре устойчив алмаз.
Оказалось, что алмаз устойчив только при высоких давлениях, начиная от 10 ООО атм при комнатной температуре и до сотен тысяч атмосфер при тысячах градусов.
Много лет изобретатели, ученые и просто охотники до наживы проводили сотни экспериментов, пытаясь превратить графит в алмаз, но безуспешно.
Теперь нам ясно, в чем дело. Оказалось, что при низких температурах скорость перехода графита в алмаз так мала, что нужны миллионы лет, чтобы получить хоть крупицу алмаза. По-видимому, успеха можно было ждать только при высоких температурах. Но при этом нужны были и очень высокие давления.
Теперь, прежде чем продолжить рассказ об алмазе, вспомним, что такое давление.
Давление - это сила, приложенная к единице площади. Вес человека, распределенный на площадь его подошв, - это давление. Сила, с которой нажимает наперсток, приложенная к площади кончика иглы,- это давление. Вычислим его. Предположим, что диаметр кончика иглы равен 0,01 мм, или 10~3 см (а это еще тупая.игла). Тогда площадь кончика равна 0,785 10~6 см2. Если наперсток нажимает на иглу с силой всего в 1 г, то давление под кончиком будет 1275 кг/см2, или 1275 технических атмосфер. Жало комара еще тоньше, чем игла, и понятно, почему оно легко прокалывает кожу.
А что представляет собой атмосферное давление? Это вес воздуха, приходящийся на единицу площади. На уровне моря на 1 см2 поверхности давит сила около 1 кгс. Отсюда и пошло обозначение: техническая атмосфера - это 1 кгс/см2. Под водой давление
возрастает на каждые 10 м глубины приблизительно на одну атмосферу. В толще Земли давление растет еще быстрее. На глубине 150-200 м оно уже достигает десятков тысяч атмосфер, а в центре Земли - нескольких миллионов.
А вообще каков предел величины давления? Нижний предел - это абсолютный вакуум. В пространстве, где нет ни одной частицы вещества, давление равно нулю. А верхний предел?
Попробуем представить себе ящик, стенки которого могут выдержать любое давление. Начнем нагнетать в него газ. Молекулам в ящике станет теснее. При некоторой плотности газ превратится в жидкость. Если продолжать накачивание, количество молекул в ящике станет еще больше, расстояние между ними будет сокращаться. Молекулам будет все труднее двигаться в ящике, возрастет вязкость газа, и при давлении около двадцати тысяч атмосфер он затвердеет. Продолжим сжатие. При давлениях в десятки тысяч атмосфер молекулы подойдут так близко друг к другу, что это начнет мешать электронам двигаться вокруг ядер. Появятся изменения в электронных оболочках.
Более половины химических элементов устроено так, что на их внутренних электронных орбитах есть свободные места. При дальнейшем сжатии (до сотен тысяч атмосфер) электроны в таких атомах начнут сдвигаться на свободные места поближе к ядру. При этом обычные химические свойства элементов настолько изменяются, что можно даже будет построить новую периодическую систему элементов.
При давлениях в миллионы и более атмосфер может оказаться, что электронам удобнее двигаться не вокруг отдельных ядер, а в виде электронного газа возле всех ядер: вещества переходят в металлическое состояние.
В настоящее время уже умеют сжимать до очень высоких давлений и газы, и жидкости, и твердые тела. Самые высокие давления достигнуты при сжатии твердых тел в аппаратах, построенных по принципу молота и наковальни (ведь обычные молот и наковальня остаются при ковке целыми, а кусок железа меняет свою форму). Из очень твердого сплава изготовляют две наковальни и помещают их между плитами мощного гидравлического пресса (рис. 2). Между наковальнями находится тонкий слои исследуемого вещества.

При сжатии плит в веществе развивается огромное давление. Если диаметр наковальни равен 1,6 см, то, сжав плиты с силой 1000 т, можно достичь давления в 0,5 млн. атм (вспомним наперсток и иголку).

Используя такой принцип и создали аппараты, в которых были впервые получены алмазы (рис. 3). Он состоит из многослойного кольцевого сосуда. Внутренний слой сделан из сверхтвердого сплава. На этот слой надеты пояса (бандажи) из твердой стали, мягкой стали, меди и пояс, в котором циркулирует охлаждающая вода. Такое чередование материалов уменьшает опасность разлета осколков, если аппарат разрушится. Сверху и снизу аппарат закрыт многослойными крышками. Внутренние части крышек - это штампы из сверхтвердого сплава. На конусные части штампов надевают прокладки из пирофиллита (минерал - алюмосиликат железа). Он обладает свойством становиться эластичным при высоких температурах и давлениях. Внутрь кольцевого сосуда вставляют контейнер из пирофиллита, в котором находится графитовый стержень и катализатор. При нагревании катализатор плавится, графит растворяется в расплаве и его перестройка в алмаз происходит легче.
Все три части аппарата собирают, вставляют в гидравлический пресс и начинают увеличивать давление. Пирофиллит заполняет все неплотности между штампами и кольцевым сосудом и предотвращает падение давления.
Чтобы нагреть содержимое контейнера, через штампы пропускают ток большой мощности. Штампы изолированы от пресса и соединены металлическими прокладками с графитовым стержнем в контейнере. Ток, проходящий через эту электрическую цепь, может нагреть графит до 3000°.
Проходят десятки минут... Процесс закончен. Внутри контейнера уже не графит, а кристаллики алмаза. Аппарат охлаждают, снижают давление и из контейнера вынимают массу, в которой находится алмаз.
Почему же алмаз, вынутый из аппарата, не превращается опять в графит? Ведь он в обычных условиях неустойчив? Дело снова в скорости процесса: он так замедлен, что мы не можем его заметить.
Итак, алмаз получен. Это мелкие кристаллы, которые выросли в течение минут, а не веков, понадобившихся для роста крупных кристаллов природного алмаза. Их нельзя использовать для изготовления украшений. Но они очень нужны.
Алмаз - самое твердое вещество. Поэтому из него изготовляют резцы, сверла, фрезы, шлифовальные круги, буровые коронки, фильеры для волочения проволоки и т. д. Алмазные инструменты обрабатывают самые твердые сплавы с необычайной скоростью и чистотой. Техника и промышленность очень нуждаются в алмазах. И сейчас налажено производство искусственных алмазов для технических целей.
С помощью высоких давлений удалось создать боразон - кристаллический нитрид бора, по твердости сравнимый с алмазом и применяющийся для обработки сверхтвердых веществ и сплавов. Искусственный кварц, который также получают под давлением, нашел применение в радиотехнике.
Что же касается ювелирных алмазов, то придет и их время. Для этого нужно создать аппараты, в которых можно будет поддерживать высокие давления и температуры неограниченно долго, чтобы создать условия для медленного роста крупных кристаллов. Но это дело будущего.

Д.С. Циклис

Размещение фотографий и цитирование статей с нашего сайта на других ресурсах разрешается при условии указания ссылки на первоисточник и фотографии.

Для прямого перехода графита в алмаз необходимы еще более экстремальные условия по сравнению с методикой, использующей металл-растворитель. Это связано с большой устойчивостью графита обусловленной очень прочными связями его атомов. Результаты первых эскспериментов по прямому превращению графит-алмаз, выполненных П. Де-Карлн и Дж. Джеймисоном из «Аллайд кемикл Корпорэйпш» , были опубликованы в 1961 г. Для создания давления использовалось взрывчатое вещество большой мощности, с помощью которого в течение примерно миллионной доли секунды (одной -" микросекунды) поддерживалась температура около 1200° С и давление порядка 300000 атм. В этих условиях в образце графита после опыта обнаруживалось некоторое количество алмаза, правда в виде очень мелких частичек. Полученные кристаллиты по размерам (100 А=10 нм, или одна стотысячная доля миллиметра) сопоставимы с «карбонадо», встречающимся в метеоритах, образование которых объясняется воздействием мощной ударной волны, возникающей при ударе метеорита о земную поверхность.

В 1963 г. Фрэнсису Банди из «Дженерал электрик» удалось осуществить прямое превращение графита в алмаз при статическом Давлении, превышающем 130 000 атм . Такие давления были получены на модифицированной установке «белт» с большей внешней поверхностью поршней и меньшим рабочим объемом. Для создания таких давлений потребовалось увеличение прочности силовых деталей Установки. Эксперименты включали искровой нагрев бруска графита До температур выше 2000° С. Ншревание осуществлялось импульсами электрического тока, а температура, необходимая для образования алмаза, сохранялась в течение нескольких миллисекунд (тысячных Долей секунды), т. е. существенно дольше, чем в экспериментах Де-Карли и Джеймисона.


Размеры новообразованных частиц были в 2--5 раз больше по сравнению с получающимися при ударном сжатии. Обе серии экспериментов дали необходимые параметры для построения фазовой диаграммы углерода, графически показывающей области температур и давлений, при которых стабильны алмаз, графит и расплав.I

Интересные эксперименты были проведены Банди и Дж. Каспером , которые использовали монокристаллы графита вместо ттоликрн-сталлического материала. Кристаллы алмаза в их первых опытах имели обычную кубическую кристаллическую структуру. Еще Де-Карли и Джеймисон обратили внимание на то, что превращение в алмаз происходит легче, когда частички графита в образцах имеют удлинение вдоль так называемой оси с, т. е. перпендикулярно гексагональным слоям. Когда Банди и Каспер поместили монокристаллы таким образом, что давление прикладывалось вдоль оси с, и измерили электросопротивление кристаллов под давлением, то оказалось, что сопротивление увеличивается, когда достигается давление в 140 000 атм. Это связывали с переходом графита в алмаз, хотя при снятии давления происходило обратное превращение в графит. Однако, когда эта процедура сопровождалась нагревом образца до 900 "С и выше, образовывались кристаллиты новой фазы высокого давления, имеющие гексагональную структуру, а не обычную - кубическую. Гексагональный углерод также изредка находили в природных образцах, особенно в метеоритах. Он получил название лонсдеплит в честь Кэтлин Лонсдеил из Лондонского университета за ее большие заслуги в области кристаллографии, в частности в изучении алмаза.

В 1968 г. Г. Р. Коуэну. Б. В, Даннингтону и А. X. Хольцману нз компании «Дюпон де Немюр» был выдан патент на новый процесс, заключающийся в ударном сжатии металлических блоков, например железных отливок, содержащих небольшие включения графита применил принцип Де-Карли - Джеймисона для создания давления в 250 000-450 000 атм в течение 10-30 мкс, сопровождаемого разогревом после удара до 1100°С. Использовался графит в виде частичек диаметром 0,5-5 мкм, и получаемые алмазы имели те же размеры. Однако установлено, что эти частички образованы очень мелкими (от Ю-40 до 100-1600 А) кубическими алмазами. В настоящее время нет сведений о том. что продукция «Аллайд кемикл корпорэйшн» поступает в коммерческую торговлю. Способ, разработанный этой компанией, чтобы он мог успешно конкурировать с методом, использующим растноритель, и методом компании «Дюпон де Немюр», нуждается в дальнейшем совершенствовании. Потенциальное преимущество методов ударного сжатия в том, что взрыв-дешевый путь создания высоких давлений.

Предлагается способ выращивания алмаза из графита в камере высокого давления, воздействуя импульсно-периодическим лазерным излучением на границу алмаз-графит через одну из прозрачных для лазерного излучения стенок камеры. В камере типа алмазной наковальни поддерживается давление от 5 до 50 ГПа, зависящее от возможностей камеры, а импульс лазерного излучения нагревает очень узкий скин-слой графита до температур 1000 К, достаточных для превращения графита в алмаз. Вследствие больших градиентов температуры в скин-слое и высокой теплопроводности алмаза происходит аномально быстрое охлаждение слоя и превращение его в прозрачный для лазерного излучения алмаз. Длина волны лазерного излучения должна попадать в область прозрачности алмаза от 0,2 до 5 мкм. Следующий лазерный импульс должен нагревать следующий слой графита и превращать его в алмаз, т.е. лазерное излучение стимулирует прорастание прозрачного алмаза в непрозрачный графит. 1 ил.

Изобретение относится к способу производства искусственных алмазов. Хорошо известно, что алмаз обладает уникальными физическими и химическими свойствами. Он является самым твердым и наименее сжимаемым веществом, имеет чрезвычайно высокую химическую стойкость к кислотам, обладает рекордным значением поля электрического пробоя и теплопроводностью, в несколько раз превышающей теплопроводность меди при комнатной температуре. Эти свойства обуславливают широкое применение алмаза в таких областях промышленности, как электроника, машиностроение, производство буровых инструментов и абразивов, камнеобработка, медицина, ювелирное дело и т.п. В настоящее время существует несколько способов синтеза алмазов. Наиболее распространенным способом является кристаллизация алмаза из раствора углерода в расплавленном металле путем поатомной сборки. Этот способ характеризуется низкой скоростью синтеза, не превышающей величину 10 -6 см/с, и присутствием в образующемся алмазе металлических примесей. Другим, близким к первому, является синтез алмаза из некристаллических форм углерода, получаемого термическим разложением углеводородов в конденсированном состоянии. Хотя при этом способе удается избавиться от металлических примесей, скорость синтеза остается такой же низкой, как и в предыдущем случае. К третьему способу можно отнести выращивание эпитаксиальных пленок алмаза из газовой фазы. Получение атомарного углерода в этом случае осуществляется в результате термического разложения углеводородов в газовых смесях с водородом. Для получения паров углерода путем термического разложения углесодержащих веществ иногда используется лазерное излучение, которое в этом случае используется только для испарения углесодержащих веществ. Другой большой класс способов синтеза алмаза относится к так называемой прямой трансформации решетки графита в алмазную. Как установлено, при комнатной температуре при гидростатическом сжатии графита образование алмазной структуры не происходит вплоть до давлений 80 ГПа. Для образования алмазной фазы необходимы дополнительно либо наличие пластической сдвиговой деформации, либо повышение температуры. Образование алмазной структуры при пластической сдвиговой деформации при комнатной температуре наблюдалось в камере высокого давления с алмазными наковальнями, одна из которых могла вращаться. При давлении 19 ГПа и сдвиговой деформации около 3 ГПа в аморфной фазе начинают расти алмазные зародыши. При наличии только одноосного сжатия монокристалла графита при комнатной температуре наблюдается обратимый переход его в аморфную фазу при давлении 13 ГПа. Нагрев сжатого образца при этом давлении выше 1300 К приводит к образованию и росту зародышей лонсдейлита. Образующаяся фаза сохраняется при последовательном снятии температуры и давления. Дальнейший нагрев до 2000 К приводит к переходу лонсдейлита в алмаз. Интенсивные пластические деформации в графите одновременно с его сжатием происходят за фронтами сильных ударных волн, в результате чего при давлениях за фронтом 20-40 ГПа наблюдался фазовый переход графита в алмаз. Однако вследствие сохранения высоких температур за ударной волной после разгрузки образцов происходит практически полный отжиг синтезированного алмаза, т.е. его обратный переход в графит, и выход алмазного порошка не превышает долей процента. Для получения ударных волн, а также ударных сжатий с регулированием температуры предлагалось использовать профилированные лазерные импульсы большой интенсивности 10 12 -10 14 Вт/см 2 , которые, падая на внешнюю сторону мишеней, создают высокие давления за счет реактивной силы испаряющегося материала. Предлагалось также осуществлять нагрев графита импульсом электрического тока со сжатием образцов собственным магнитным полем тока. Однако быстрый отвод тепла и сохранение алмазной фазы в этих предложениях остается достаточно сложной и пока не решенной задачей. Наиболее часто используемым методом быстрого отвода тепла при ударном нагружении служит способ использования смесей графита с порошками металлов, которые в силу меньшей сжимаемости по сравнению с графитом, подвержены значительно меньшему нагреву и играют роль охладителей. При промышленном синтезе алмазов используются меднографитовые смеси с содержанием графита до 8% из которых 75% переходит в алмазный порошок. При этом размер поликристаллов алмаза колеблется от 0,1 до 60 мкм, а средний размер частиц, составляющих поликристалл равен 10 нм. Ударный способ синтеза алмаза с выходом до 50% от массы исходного графита реализуется также в области 6 фазовой диаграммы при ударном сжатии графита в смеси с конденсированными инертными газами (N, He, Ar,) и последующим быстром охлаждении твердой фазы за счет теплоотвода в быстро охлаждающийся при адиабатической разгрузке инертный газ. При этом выход алмаза приблизительно такой же, как и в предыдущем случае смесей графита с металлическими порошками. Прототипом предлагаемого способа синтеза алмаза служит способ превращения графита в алмаз в сжатом состоянии при нагреве импульсом электрического тока. При этом способе статическое давление создавалось в наковальне типа "belt" и достигало 20 ГПа, а максимальная температура могла доходить до 5000 К. Синтез алмаза происходил в графитовом цилиндре высотой 3 мм и диаметром 2 мм, через который пропускался электрический ток в области давлений 10-20 ГПа при температурах 3000-4000 К. Недостатком такого способа является неоднородный прогрев исходного материала и как следствие получение темных поликристаллических образцов алмаза. Предлагаемый способ решает задачу синтеза прозрачных алмазов в больших объемах. В предлагаемом способе, как и в прототипе, сжатие и нагрев графита осуществляются независимо друг от друга. Однако нагрев в предлагаемом способе осуществляется импульсно-периодическим лазерным излучением через прозрачную для него стенку камеры высокого давления, пройдя которую излучение поглощается в очень тонком скин-слое графита. В качестве прозрачной стенки может служить сам алмаз либо другой прозрачный и достаточно прочный материал, например, сапфир или нитрид бора. Для того чтобы лазерное излучение проходило через выращиваемый алмаз, необходимо, чтобы величина кванта фотона h не превышала величины запрещенной зоны алмаза E 0 5,2 эВ, т.е. длина волны лазера должна быть больше 230 нм. С другой стороны, длина волны лазерного излучения не должна заходить в далекую инфракрасную область, где начинается примесное и решетчатое поглощение алмаза, т.е. должна быть меньше 5 мкм. Лазерное излучение в графите поглощается на глубине скин-слоя удельная проводимость графита, частота лазерного излучения. Для Nd-лазера ( = 1,06 мкм) глубина скин-слоя в графите составляет = 0,26 мкм а для XeCl-лазера ( = 0,31 мкм) она составляет 0,14 мкм, т.е. во всем оптическом диапазоне можно считать 0,2 Время остывания тонкого прогретого слоя толщиной по порядку величины равно: t = 2 /a, где a=k/C- коэффициент температуро-проводности, k коэффициент теплопроводности, плотность, C теплоемкость. Толщина нагретого слоя равна d ~ 0,2 мкм подставляя известные значения величин для алмаза k=10 Вт/см град, = 3,5 г/см 3 , C=2 Дж/гград, получаем величину характерного времени остывания слоя T = 1 нс Поведение во времени температуры прогреваемого слоя находится из решения уравнения теплопроводности, решение которого для частотно-импульсного лазерного излучения с импульсами прямоугольной формы (I(t)=I 0 , для 0 < t < o I(t)=0 для остального времени) дает условие нагрева графита в скин-слое до необходимой температуры, которая по порядку величины равна так называемой температуре "графитизации" 2000 К. Это условие имеет вид: I o o 0,1 Дж/см 2 . При интенсивности I 0 50 МВт/см 2 указанная температура достигается за время 2 нс. После остывания нагретого слоя и превращения его в слой алмаза процесс может быть повторен уже для следующего слоя графита с последующим его превращением в новый слой алмаза и т.д. Временной интервал между последовательными лазерными импульсами определяется общим временем отвода тепла в стенки камеры высокого давления и может доходить до микросекунды в зависимости от ее размеров. Средняя плотность мощности лазерного излучения определяется возможностями охлаждения камеры и может доходить до 10 кВт/см 2 . На чертеже изображена общая схема камеры для синтеза алмазной фазы при лазерном облучении графита в сжатом состоянии, где 1 стенки камеры высокого давления; 2 область поглощения лазерного излучения; 3 прозрачная стенка камеры высокого давления. Использование лазерного излучения для нагрева графита (а в более общем случае непрозрачных углеродосодержащих веществ), прижимаемого к алмазу, приводит к качественно новым результатам. Благодаря аномально малой глубине прогреваемого слоя и возникающей вследствие этого большим градиентам температуры, а также вследствие большой величины теплопроводности алмаза тепло из тонкого прогретого слоя уходит в окружающие стенки наковальни за аномально короткие времена. При этом большие градиенты температуры вызывают в материале также касательные напряжения, которые, как показывают опыты, способствуют образованию алмаза. Изменяя интенсивность лазерного импульса, можно создавать в слое графита практически любые температуры от начальной до температур 5000 К и выше. Верхняя граница по давлению в камере определяется типом наковальни, создающей внешнее объемное давление, и для типичных алмазных наковален может достигать нескольких десятков ГПа. Нижняя граница согласно опытам лежит в районе 10 ГПа. После нагрева одного слоя графита и превращения его в алмаз следующий импульс лазерного излучения проходит через образованный алмазный слой и нагревает следующий слой графита и т. д. т.е. процесс может быть многократно повторен, пока весь облучаемый графит не превратится в алмаз. В отличие от нагрева электрическим током лазерное излучение нагревает даже случайно образующиеся в алмазе непрозрачные включения графита, заставляя их превращаться в алмаз. Поэтому предлагаемый способ позволяет получать особо чистые и прозрачные образцы алмаза в больших объемах. Способ осуществляется следующим образом. Графит помещают в камеру давления, одна из стенок которых является прозрачной для лазерного излучения. Давление в камере, например, с помощью гидростатического пресса, поддерживается все время постоянным, на уровне 10 ГПа. Через прозрачную стенку камеры подается импульсно-периодическое лазерное излучение, например, 2-й гармоники Nd-лазера = 0,53 мкм в котором произведение плотности интенсивности в импульсе на длительность импульса удовлетворяет условию I o o 0,2 Дж/см 2 . При интенсивности I 0 50 МВт/см 2 температура 1000 К достигается за время 2 нс. После остывания нагретого слоя за такое же по порядку величины время и превращения его в алмаз следующий лазерный импульс нагревает следующий слой сжатого графита и процесс продолжается до полной трансформации графита в алмаз. После выключения лазерного излучения и снятия давления полученный алмаз вынимается из камеры. Следует отметить, что лазерное излучение, особенно в ультрафиолетовой области спектра, кроме чисто теплового воздействия на графит может способствовать перестройке сжатого графита в алмаз переводя атомы углерода в электронно-возбужденное состояние, тем самым стимулируя перестройку валентных связей, характерную для структуры алмаза. При этом синтез алмаза может происходить без существенного повышения температуры путем фотохимического воздействия лазерного излучения на фазовый переход сжатый графит-алмаз. В последнем случае для синтеза алмаза можно использовать непрерывное лазерное излучение слабой интенсивности. Скорость границы наращивания алмаза можно оценить из соображений размерности: v d = I/(E g N g) где I средняя интенсивность лазерного излучения, поглощенного в графите, E g характерная энергия, необходимая для перестройки одного атома углерода из решетки графита в решетку алмаза, она по порядку величины равна E g = kT g где T g =2000, k температура "графитизации", N g =10 22 см -3 плотность атомов углерода. При средней плотности поглощаемой в графите лазерной мощности в 10 Вт/см 2 скорость роста алмаза должна составлять около 1 мм/с. Величина выращиваемых алмазов определяется только величиной объема, в котором внешним устройством, например, гидростатическим прессом, создается необходимое для синтеза алмаза давление, и в настоящее время может доходить до нескольких кубических сантиметров. Отметим, что предлагаемый способ отличается как высокой скоростью роста, так и высокой чистотой получаемых алмазов, так как не связан с использованием катализаторов и внесением посторонних примесей в процессе синтеза. Он может быть использован для стимулирования роста любого прозрачного для лазерного излучения вещества, находящегося в контакте с непрозрачным материалом, служащего для него исходным продуктом.

Технология производства синтетических алмазов

Развитие исследований по сочанию аппаратов высокого давления, необходимых для синтеза алмазов, связано с именем пионера исследований в области высоких давлений профессора Гарвардского университета П.У. Бриджмена. Бриджмен быстро понял, что одно только высокое давление не способно превратить графит в алмаз. Согласно теории, алмаз представляет собой стабильную кристаллическую форму углерода уже при давлениях примерно 20 000 атм, но при давлениях в 425 000 атм при комнатной температуре и 70 000 атм при температуре красного каления превращения графита в алмаз не происходило. В то же время алмаз при нормальном атмосферном давлении ведет себя как вполне стабильная фаза.

Превращение алмаза в графит может быть осуществлено при нагреве примерно до 1500 o С, и это позволило предположить, что для обратного превращения при высоких давлениях необходимы температуры того же порядка. Человеком, которому посчастливилось первому осуществить синтез алмаза, был Трейси Холл.

Холл пришел в лабораторию "Дженерал электрик" в 1948 г. и с 1951 г. стал членом небольшой исследовательской группы, занимающейся "Проектом сверхдавления", как были закодированы работы по синтезу алмаза. Хотя Холл был химиком, он понял, что главное препятствие на пути успешного решения проблемы синтеза алмаза - отсутствие оборудования высокого давления, и разработал эскизный проект системы, впоследствии названной "халфбелт". Это был только первый шаг к успеху, но он наметил путь к новой, ставшей знаменитой конструкции "белт" .

16 декабря 1954 г. пришел первый успех. Холл позднее писал: "Руки мои тряслись, учащенно билось сердце, я ощутил слабость в коленях и вынужден был сесть. Мои глаза поймали сверкнувший свет от дюжин мелких треугольных граней октаэдрических кристаллов... и я понял, что наконец-то алмазы сделаны человеком". Этот эксперимент был выполнен при давлении 70 000 атм и температуре 1600 o С с использованием графита и троилита (FeS). Алмазы прилипли к танталовому диску, который используется для подводки электрического тока при нагреве образца.

Тантал, кроме того, восстанавливал FeS до металлического железа, так как присутствие одной серы не может вызвать превращения графита в алмаз. Катализатор играет роль растворителя, в котором графит сначала растворяется, а затем кристаллизуется в виде алмаза. Без металлического растворителя скорость превращения графита в алмаз очень мала, даже если температура и давление достаточны.

Аппарат для синтеза алмаза, предложенный Холлом, назывался "белт" (пояс), потому что центральная часть, где происходит синтез алмазов, поддерживалась кольцом из карбида вольфрама с бандажом из высокопрочной стали. Два конических поршня приводились в движение с помощью большого гидравлического пресса из упрочненной стали. Полученные синтетические алмазы были техническими.

Главная трудность при создании аппаратов высоких давлений и температур заключается в том, что стали и другие конструкционные материалы быстро теряют свою прочность при нагреве. Эту проблему можно решить путем нагрева только внутреннего рабочего объема и соответствующей термоизоляции для предотвращения чрезмерного нагрева поршней и пояса.

Согласно патенту "Дженерал электрик", типичная шихта в реакционной камере представляет собой смесь 5 частей графита, 1 части железа, 1/3 части марганца и 1/3 части пятиокиси ванадия. Эту смесь запечатывали и нагревали до 1700 o С под давлением 95 000 атм в течение 2 мин, затем охлаждали до 1500 o С за 8 мин. Сейчас в качестве растворителя чаще всего используют смесь никеля и железа, позволяющую осуществить синтез алмаза при менее жестких условиях, например при 50 000 атм и 1400 o С. Также доказано, что графит как источник углерода может быть заменен другими органическими материалами: деревом, углем, дегтем, смолой.

Аппарат высокого давления "белт" компания "Дженерал электрик" впоследствии заменила конструкцией тетраэдрического типа, разработанной Холлом примерно в то же время. Главное преимущество ее заключалось в применении относительно дешевых прессов. В первом варианте использовались четыре независимо работавших пресса, смонтированные в симметричной раме и сходящиеся в центральной части рабочего объема. Для другой, более простой модификации, требуется только один гидравлический пресс, а усилия в трех других направлениях возникают за счет взаимодействия поршней с конической поверхностью прочной стальной поддержки. В тетраэдрическое пространство, образуемое внутренними поверхностями этих вставок, монтируется специально изготовленная деталь из пирофиллита с электропечью, представляющей собой графитовую трубку. Электрический ток подводится через два противоположных поршня или через специальные электровводы. В печь помещаются графит и металл-растворитель.

Параллельно с работами "Дженерал электрик" исследования по получению искусственных алмазов велись Всеобщей шведской электрической акционерной компанией, известной как ASEA. Вероятно, группа ASEA не опубликовала детали своего успешного синтеза алмазов в 1953 г. потому, что пыталась получить ювелирный материал и не придавала большого значения очень мелким техническим алмазам. В технологии ASEA применялись давление от 80 000 до 90 000 атм и температура до 2760 o С. Размеры алмазов, получаемых в обоими фирмами, были существенно меньше 1 мм. В опытах ASEA образовывалось 20-50 кристаллов размером 0,1-0,5 мм.

В СССР способ получения синтетических алмазов был разработан в 1960 г. Институтом физики высоких давлений АН СССР. Руководил работами акад. Л.Ф. Верещагин. В 1961 г. в Институте сверхтвердых материалов АН УССР была отработана промышленная технология синтеза алмазов. Процесс осуществляется при температуре 1800-2500 o С и давлении более 50-102 МПа в присутствии катализаторов - хрома, никеля, железа, марганца, платины, кобальта или других металлов. Впоследствии было установлено, что алмазы образуются при кристаллизации углерода из его раствора в расплаве металла-катализатора.

Синтез алмаза проводится в камере типа "чечевица" объемом несколько кубических сантиметров. Нагревание осуществляется индукционным методом или прямым пропусканием электрического тока. При сближении пуансонов реакционная смесь графита с никелем (а также со слоистым пирофиллитом) сжимается. В результате происходит перекристаллизация гексагональной кристаллической решетки графита в кубическую структуру алмаза. Размер кристаллов алмаза зависит от времени синтеза: при времени реакции 3 мин. образуются кристаллы массой около 10 мг, а 30 мин - 70 мг. Наиболее прочные кристаллы получались размером до 0,5-0,8 мм.

Производство ювелирных синтетических алмазов

Приводим схему аппарата, применявшегося для выращивания крупных кристаллов алмаза с использованием переноса углерода в растворе металла.

Не следует думать, что производство синтетических технических алмазов в огромных объемах упрощает задачу получения алмазов таких размеров и такого качества, которые позволяют отнести их к драгоценным камням. Главное препятствие попыткам получить крупные кристаллы - маленький объем, в котором можно поддерживать экстремальные условия давления и температуры. К тому же для выращивания больших кристаллов требуется длительное время.

Способы получения ювелирных алмазов не патентовались до 1967 г., когда Роберт Уэнторф наконец добился успеха в выращивании алмаза на затравке. Затравочный кристалл необходим для предотвращения кристаллизации графита даже тогда, когда условия опыта соответствуют области кристаллизации алмаза. Наиболее трудная проблема при выращивании крупных кристаллов алмаза высокого качества заключается в необходимости поддержания необходимых условий в области его стабильности.

В используемой Уэнторфом методике затравочный кристалл помещался в холодную часть раствора при температуре около 1420 o С, а мелкие кристаллы располагали в нижней части при температуре 1450 o С. Интервал давлений составлял от 55 000 до 60 000 атм. Лучше, если затравочный кристалл помещают в нижней части, потому что некоторые образующиеся вне затравки мелкие кристаллы всплывают в горячую зону и там растворяются, а не растут вокруг затравки.

В некоторых опытах Уэнторфа питающий алмазный материал перекристаллизовывался в графит. Однако исследователи столкнулись и с более серьезной проблемой: максимальная скорость, с которой кристаллы могут стабильно расти, должна уменьшаться по мере того, как кристалл становится крупнее. Установлено, что для кристалла диаметром 1 мм наиболее высокая скорость стабильного роста составляет 0,2 мм/час. Когда размер кристалла достигает 5 мм, стабильный рост может происходить со скоростью 0,04 мм/час и для выращивания кристалла такого размера требуется несколько дней.

Проблема станет еще более серьезной, если пытаться выращивать синтетические алмазы большего размера. В настоящее время крупный синтетический алмаз имеет 6 мм в диаметре и весит 1 карат (0,2 г). Поскольку для выращивания крупных кристаллов более благоприятны низкие скорости роста, а поддержание высоких температур и давлений в течение длительного времени требует значительных затрат, крупные синтетические алмазы оказываются дороже или сопоставимы с ценой природных кристаллов аналогичных размеров. На фото вверху представлены синтетические алмазы массой 1 карат, выращенные Робертом Уэнторфом, и графит, использованный как исходное вещество.

Окрашивание алмазов осуществляется введением в кристаллы различных элементов-примесей. Азот придает зеленую окраску и, вероятно, обусловливает желтый цвет камней, если он присутствует в малых концентрациях. Введение бора придает алмазу синие цвета. Редко встречающиеся синие природные камни, в частности знаменитый алмаз "Хоуп", также обязаны своей окраской присутствию этого элемента. Изучение свойств окрашенных алмазов полезно для понимания некоторых алмазов и способов образования их в природе.

Прямое превращение графита в алмаз

Для прямого перехода графита в алмаз необходимы еще более экстремальные условия по сравнению с методикой, использующей металл-растворитель. Это связано с большой устойчивостью графита, обусловленной очень прочными связями его атомов. Результаты первых эекспериментов по прямому превращению графит-алмаз, выполненных П. Де-Карли и Дж. Джеймисоном из "Аллайд кемикл Корпорэйшн", были опубликованы в 1961 г.

Для создания давления использовалось взрывчатое вещество большой мощности, с помощью которого в течение примерно миллионной доли секунды (одной микросекунды) поддерживалась температура около 1200 o С и давление порядка 300 000 атм. В этих условиях в образце графита после опыта обнаруживалось некоторое количество алмаза в виде очень мелких частичек. Полученные кристаллиты по размерам (100 А = 10 нм, или одна стотысячная доля миллиметра). Они сопоставимы с так называемым "карбонадо", встречающимся в метеоритах, образование которых объясняется воздействием высокой температуры, возникающей при прохождении метеорита через плотные слои атмосферы, и мощной ударной энергии, возникающей при ударе метеорита о земную поверхность.

В 1963 г. Фрэнсису Банди из "Дженерал электрик" удалось осуществить прямое превращение графита в алмаз при статическом давлении, превышающем 130 000 атм. Такие давления были получены на модифицированной установке "белт" с большей внешней поверхностью поршней и меньшим рабочим объемом. Для создания таких давлений потребовалось увеличение прочности силовых деталей установки. Эксперименты включали искровой нагрев бруска графита до температур выше 2000 o С. Нагревание осуществлялось импульсами электрического тока, а температура, необходимая для образования алмаза, сохранялась в течение нескольких миллисекунд (тысячных долей секунды), что существенно дольше, чем в экспериментах Де-Карли и Джеймисона. Размеры новообразованных частиц были в 2-5 раз больше по сравнению с получающимися при ударном сжатии.

В СССР в Институте сверхтвердых материалов АН УССР была отработана подобная технология получения искусственных алмазов. При направленном взрыве происходит мгновенное повышение давления до 200-102 МПа и температуры до 2000 o С и в графите образуются мелкие (до 10-30 мкм) синтетические алмазы.

В 1963 г. В. Ж. Эверсолом (США) был запатентован способ выращивания алмазов из перенасыщенной углеродом газовой фазы (метана, ацетилена или других углеводородов) при давлении ниже 10-102 МПа. Образующаяся избыточная поверхностная энергия на границе графит-воздух способствует формированию зародышей алмазов. Подобный метод независимо был разработан в СССР Б. В. Дерягиным и Д. В. Федосеевым. При давлении ниже атмосферного им удалось получить на затравках из алмаза нитевидные кристаллы синтетического алмаза из газовой фазы. Скорость роста кристаллов очень низкая - около 0,1 мкм/ч.

Внимание этих ученых привлекли предложения по получению алмазов в условиях, при которых стабилен графит, а алмаз метастабилен (метастабильность алмаза означает, что он может в данных условиях оставаться неизменным неограниченное время без обратного перехода в графит). Для превращения графита в алмаз необходимо, чтобы атомы углерода были возбуждены до состояния, характеризующегося высокой энергией. Обычно это достигается приложением высоких давлений и температур. Альтернативная идея основана на том, что если удастся получить атомы углерода с высоким энергетическим уровнем, то при переходе в твердое состояние вероятнее образование метастабильного алмаза, чем стабильного графита. Этому способствует применение затравочных кристаллов алмаза, которые помогают атомам углерода располагаться в порядке, соответствующем алмазной, а не графитовой структуре. Вероятно, наиболее перспективный метод связан с разложением углеродсодержащих газов при достаточно низких давлениях. Обволакивая мелкие кристаллы алмаза, газ разлагается, и атомы углерода осаждаются на поверхность затравочных кристаллов.

Для опытов Эверсола характерны следующие условия: температура в интервале 600-1600 o С, общее давление газа - одна атмосфера, концентрация метана в газовой смеси от 0,015 до 7%. Затравки имели размер всего лишь 0,1 мкм (десятитысячная доля миллиметра) в диаметре, что обеспечивало большую поверхность для осаждения алмазов. Помимо алмаза в газовой фазе образовывались скопления графита, которые осаждались вместе с алмазом на поверхности затравочных кристаллов. Если время от времени не останавливать процесс для удаления графита, его концентрация настолько возрастает, что препятствует дальнейшему осаждению алмаза. Для этого предусматривалось периодическое извлечение алмазов, которые помещались в сосуд высокого давления (от 50 до 200 атм) с водородом и прокаливались при температуре 1000 o С. Водород вступает в реакцию с графитом намного быстрее, чем с алмазом, поэтому такая процедура очищает поверхность затравочных кристаллов для последующего роста алмазов.

Группа Дерягина пришла к выводу, что новообразования графита выгоднее окислять кислородом воздуха при атмосферном давлении. Преимущество этого способа в том, что процесс синтеза и удаление графита осуществляются в одном и том же реакторе, который в окислительную стадию процесса заполняется воздухом. Типичные условия, используемые для выращивания алмаза этим методом, характеризуются температурой 1020 o С и давлением метана 0,07 мм рт. ст.

Наибольшие скорости роста составляют примерно 0,1 мкм в час, что обеспечивает образование во всем объеме реактора около одного карата алмаза в час. Вибрация затравок способствует увеличению поверхности соприкосновения кристаллов с метаном и ведет к улучшению свойств наращиваемого слоя. Еще большие скорости достигаются при облучении поверхности алмазов светом газонаполненной ксеноновой лампы высокого напряжения. Лампа работает в пульсирующем режиме, способствуя быстрому росту алмаза и в значительной степени предотвращая зарождения кристаллитов графита. Сообщалось, что в таких условиях скорости роста достигают нескольких микрометров в час. Иногда при использовании этого метода начинают расти алмазные "усы" - тонкие нити, выступающие из разных мест поверхности затравочного кристалла. Причины такой странной формы роста пока не ясны.

Метод Эверсола в США развивался в основном Дж. Ангусом и его сотрудниками в университете штата Огайо. Используемые ими условия роста: температура 1000 o С, давление метана (в смеси с водородом) 0,2 мм рт. ст. - близки к условиям экспериментов, проводимых группой Дерягина. Прирост веса составляет обычно 6% за 20 ч, что соответствует линейной скорости роста только 0,001 мкм/сут. Более высокие скорости наблюдаются в начальный период процесса, что, вероятно, связано с напряжениями, обусловленными небольшими различиями расстояний между атомами углерода в пленке и кристалле-подложке. Возможно, что очень высокие скорости роста, о которых сообщалось советскими учеными, также характерны только для начальной стадии процесса.

Фирмой "Дженерал Электрик" в 1970 г. был разработан метод получения крупных синтетических кристаллов алмазов ювелирного качества на затравках в виде пластин. Однако стоимость выращивания таких алмазов гораздо выше, чем добыча природных.

Синтетические алмазы широко применяются для производства алмазно-абразивного инструмента, брусков, шлифовальных и отрезных кругов, паст для шлифования, стеклорезов, резцов, буровых коронок, долот и т. д. В настоящее время более 80% потребности в технических алмазах покрывается за счет синтетических. В настоящее время десятки лабораторий в различных странах продолжают поиски более рациональной и эффективной методики выращивания алмазов для технических нужд и ювелирных целей.

Облагораживание алмазов облучением

Рассказ о синтетическом алмазе был бы неполным без информации об использовании ядерного облучения для получения окрашенных кристаллов. Развитие такого метода обработки вызвано чрезвычайной редкостью цветных алмазов, а между тем окрашенный алмаз хорошего качества более чем на 25% дороже своей бесцветной разновидности.

Английский ученый сэр Уильям Крукс обнаружил, что радиоактивное излучение радия превращает бесцветный алмаз в зеленую разновидность. Позднее было установлено, что это изменение окраски происходит в результате бомбардировки кристалла альфа-частицами, но захватывает только внешний слой алмаза из-за слабой проникающей способности альфа-частиц в твердое тело. Метод обработки алмаза облучением пребывал в забвении до нового витка развития в конце 40-х годов XX века ядерной физики.

Дейтронами бомбардировали кристаллы алмаза. Алмаз оставался сильно радиоактивным в течение нескольких часов, но и в этом случае окрашивался только внешний слой. Было установлено, что бомбардировка электронами с высокой энергией приводит к окрашиванию алмаза в бледно-голубой или зеленый цвет, но опять-таки окрашивался лишь тонкий слой. А вот нейтроны, обладающие более высокой проникающей способностью, могут изменить окраску всего камня. После облучения ими алмазы становятся зелеными, однако нагревание в инертном газе при 900 o С меняет их цвет сначала на коричневый, а затем на золотисто-желтый. Облученные алмазы золотисто-желтого цвета намного привлекательней, чем зеленые или коричневые, они очень популярны в Соединенных Штатах.

В некоторых случаях реакция алмазов на облучение более разнообразна, и можно получить кристаллы синего, красного и пурпурного цветов. Это различие в окраске обусловлено примесями, присутствующими в алмазах. Большинство алмазов, так называемые алмазы типа I, содержат в качестве примеси азот, который внедряется в кристалл предположительно в промежуточную стадию между образованием алмаза в недрах Земли и временем, когда он попадает в приповерхностные ее участки. В большинстве алмазов азот распределен в виде тончайших пластин, но в одном из тысячи он распределен равномерно во всем объеме кристалла. Последний тип кристаллов назван Iб, тогда как наиболее распространенные отнесены к типу Iа.

Менее распространенный тип II объединяет чистые алмазы, почти не содержащие азота. К нему относятся наиболее крупные камни. Наиболее часто встречающиеся алмазы этого типа классифицируются как тип IIа, а очень редкие содержащие небольшие концентрации примесного алюминия, как тип IIб. Среди алмазов типов I6 и II6 встречаются кристаллы красного и фиолетового цветов, вследствие чего они дороже алмазов обычного типа.

В таблице ниже приведены сведения о цвете поступающих в продажу облученных алмазов. Вообще имеет смысл облучать только крупные кристаллы, поскольку повышение цены мелких алмазов не оправдывает затрат на их обработку.

Метод Тип Iа Тип Iб Тип IIа Тип IIб
Нейтронное
облучение
Зеленый Зеленый Зеленый Зеленый
Нейтронное
облучение
+ нагревание
Янтарно-
желтый
Янтарно-
желтый
Коричневый Пурпурно-
красный
Облучение
электронами
Зеленый Синий или
зеленовато-
синий
Синий или
зеленовато-
синий
-
Облучение
электронами
+ нагревание
Янтарно-
желтый
Пурпурно-
красный
Коричневый -

Поскольку в наше время обработка алмазов для изменения их окраски распространена достаточно широко, возникла новая проблема. Некоторые даже подконтрольно облученные алмазы в течение длительного времени могут оставаться радиоактивными в связи с присутствием примесей долгоживущих радиоактивных изотопов. Насколько эта проблема серьезна - до конца не ясно. Но если некоторая опасность для владельца облученного камня существует, он должен быть осведомлен о результатах контроля на остаточную радиоактивность и об опасном методе облагораживания минерала. В любом случае бесконтрольное облагораживание камней в третьих странах делает эти камни опасными, так как неизвестно, чем именно камень облучали и каковы последствия этого облучения. Покупатель должен иметь выбор осознанно отказаться от потенциально опасной покупки.